CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V Gate Injection Technology (GIT) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) offer fast turn-on and turn-off speeds at minimum switching losses. These GaN enhancement-mode power transistors are available in a ThinPAK 5x6 surface-mount package, ideal for applications that require a compact device without a heatsink. The small 5mm x 6mm2 footprint and low 1mm profile height makes the Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMTs perfect for achieving high power density.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4 511En existencias
Cinta cortada
₡2 029,82
₡1 332,39
₡931,63
₡765,08
₡733,86
Envase tipo carrete
₡619,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4 815En existencias
Cinta cortada
₡1 493,74
₡968,07
₡666,20
₡536,08
Envase tipo carrete
₡418,45
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4 699En existencias
Cinta cortada
₡1 301,16
₡837,95
₡572,51
₡455,93
Envase tipo carrete
₡354,44
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN