MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 17
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800En existencias
₡6 365,29
₡4 606,12
₡3 835,83
₡3 523,55
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 25/11/2026
₡6 714,00
₡4 907,99
₡4 262,61
₡3 695,30
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 25/11/2026
₡6 651,55
₡4 861,15
₡4 226,18
₡3 664,08
₡3 596,42
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Se espera el 14/4/2027
₡5 308,75
₡3 752,56
₡3 122,79
₡2 784,49
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
599Se espera el 14/4/2027
₡5 756,35
₡3 684,90
₡3 200,86
₡2 878,17
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Se espera el 14/4/2027
₡4 835,12
₡3 304,96
₡2 722,03
₡2 425,37
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
583Se espera el 14/4/2027
₡5 277,52
₡3 299,75
₡2 846,95
₡2 539,87
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 14/4/2027
₡5 589,80
₡3 107,18
₡2 867,76
₡2 446,19
₡2 440,98
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 14/4/2027
Cinta cortada
₡4 403,14
₡2 388,94
₡2 196,36
₡1 779,99
Envase tipo carrete
₡1 753,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 14/4/2027
₡8 254,58
₡4 767,46
₡4 434,37
₡4 002,38
₡3 997,17
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 25/12/2026
₡6 485,00
₡4 829,92
₡4 023,20
₡3 586,01
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 30/12/2026
₡6 927,39
₡5 090,15
₡4 439,57
₡3 841,03
₡3 773,37
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 1/1/2027
Cinta cortada
₡5 969,74
₡3 336,18
₡3 211,27
₡2 623,15
Envase tipo carrete
₡2 617,94
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 30/12/2026
₡5 938,51
₡3 856,65
₡3 351,80
₡3 018,70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
₡5 470,09
₡3 034,31
₡2 867,76
₡2 342,09
Envase tipo carrete
₡2 342,09
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 30/12/2026
₡5 402,43
₡3 435,07
₡2 982,27
₡2 633,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 14/4/2027
₡8 577,27
₡4 970,44
₡4 626,94
₡4 205,36
₡4 200,16
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement