GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
SemiQ MOSFETs de SiC 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Hoja de datos
25En existencias
₡6 641,14
₡4 803,90
₡3 997,17
₡3 565,19
₡3 330,98
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
Hoja de datos
13En existencias
₡8 275,40
₡5 626,23
₡4 652,96
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Hoja de datos
60Se espera el 13/11/2026
₡8 264,99
₡4 678,98
₡4 642,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement