Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
40 V
5.8 A, 6.8 A
35.5 mOhms, 45 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V, 1.4 V
11.7 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W, 3.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2 Channel
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8 A
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2 Channel
12 V
8.9 A
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400 mV
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5513CDC-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
53 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
ChipFET-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
3.7 A, 4 A
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- 12 V, 12 V
600 mV
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5515CDC-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
2 320 En existencias
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1 000
₡197,26
6 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
ChipFET-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
4 A
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- 8 V, 8 V
400 mV
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+ 150 C
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Enhancement
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7272DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
233 En existencias
12 000 Se espera el 14/1/2028
1
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10
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1 000
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3 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
2 Channel
30 V
25 A
9.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7938DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
200 En existencias
12 000 Se espera el 14/1/2028
1
₡1 264,73
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₡556,90
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₡467,90
1 000
₡414,29
3 000
₡391,91
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
2 Channel
40 V
60 A
5.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8
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SI9926CDY-T1-E3
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2 500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI9926CDY-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8
2 500 En existencias
1
₡1 035,73
10
₡496,52
100
₡441,88
500
₡350,27
1 000
₡311,24
2 500
₡284,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
20 V
8 A
18 mOhms
- 12 V, 12 V
600 mV
22 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA517DJ-T1-GE3
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1:
₡629,76
599 En existencias
60 000 En pedido
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781-SIA517DJ-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
599 En existencias
60 000 En pedido
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Existencias:
599 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3 000 Se espera el 13/8/2026
18 000 Se espera el 12/4/2027
27 000 Se espera el 20/5/2027
12 000 Se espera el 31/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
50 Semanas
1
₡629,76
10
₡449,68
100
₡280,01
500
₡193,09
1 000
₡162,39
3 000
₡145,73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V
4.5 A
29 mOhms, 61 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
15 nC, 20 nC
- 55 C
+ 150 C
6.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
SIA519EDJ-T1-GE3
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1:
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214 En existencias
75 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
781-SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
214 En existencias
75 000 En pedido
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Existencias:
214 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
39 000 Se espera el 3/6/2027
36 000 Se espera el 2/9/2027
Plazo de entrega de fábrica:
37 Semanas
1
₡608,94
10
₡433,55
100
₡270,12
500
₡186,33
1 000
₡156,66
3 000
₡140,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SC70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
40 mOhms, 90 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV, 600 mV
3.7 nC, 5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
SIA931DJ-T1-GE3
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1:
₡494,44
160 589 Se espera el 31/8/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
160 589 Se espera el 31/8/2026
1
₡494,44
10
₡307,07
100
₡199,34
500
₡153,02
1 000
₡137,92
3 000
₡118,67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
2 Channel
30 V
4.5 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR
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SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡307,07
12 501 Se espera el 13/8/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR
12 501 Se espera el 13/8/2026
Embalaje alternativo
1
₡307,07
10
₡189,97
100
₡121,27
500
₡91,08
1 000
₡81,71
3 000
₡68,70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
700 mA
388 mOhms, 890 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3 nC
- 55 C
+ 150 C
340 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡426,78
13 476 En existencias
6 000 Se espera el 13/8/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
13 476 En existencias
6 000 Se espera el 13/8/2026
1
₡426,78
10
₡193,09
100
₡170,19
500
₡129,60
1 000
₡124,39
3 000
₡99,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
2 Channel
30 V
2.2 A
133 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.15 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡327,89
31 399 Se espera el 8/11/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
31 399 Se espera el 8/11/2027
1
₡327,89
10
₡203,50
100
₡130,12
1 000
₡105,65
3 000
₡93,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-89-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
350 mA, 500 mA
396 mOhms, 756 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
1.3 nC, 1.65 nC
- 55 C
+ 150 C
220 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡416,37
98 010 Se espera el 17/5/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI1034CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6
98 010 Se espera el 17/5/2027
1
₡416,37
10
₡284,17
100
₡180,08
500
₡111,38
1 000
₡82,23
3 000
₡73,39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-89-6
N-Channel
2 Channel
20 V
610 mA
396 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
1.3 nC
- 55 C
+ 150 C
220 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6
+2 imágenes
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡676,61
68 714 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6
68 714 En pedido
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Embalaje alternativo
En pedido:
41 714 Se espera el 15/2/2027
27 000 Se espera el 15/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
38 Semanas
1
₡676,61
10
₡385,66
100
₡249,30
500
₡160,30
1 000
₡122,31
3 000
₡91,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
1.3 A
198 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
2.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4946CDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡749,47
32 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI4946CDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
32 500 En pedido
Ver fechas
En pedido:
25 000 Se espera el 22/4/2027
7 500 Se espera el 19/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
72 Semanas
1
₡749,47
10
₡464,26
100
₡312,80
500
₡244,10
2 500
₡198,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
6.1 A
51.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
2.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2.8 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
+2 imágenes
SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡593,33
21 818 Se espera el 2/9/2027
N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
21 818 Se espera el 2/9/2027
1
₡593,33
10
₡370,57
100
₡243,58
500
₡191,53
1 000
₡169,67
2 500
₡140,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
4.3 A, 6 A
47 mOhms, 89 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
6 nC, 7.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2.78 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
6.8 A, 11.4 A
11.5 mOhms, 18.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.8 nC, 11.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W, 2.4 W
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TrenchFET
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PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
20 V
25 A
16.4 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
32 nC
- 55 C
+ 150 C
23 W
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PowerPAK-SO-8
N-Channel
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30 V
25 A, 30 A
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
17 nC, 32 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W, 40 W
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SC-70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V, 20 V
4.5 A
23 mOhms, 44 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
16 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A
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Si
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SOT-363-6
N-Channel
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- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
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Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
N-Channel
1 Channel
24 V
11 A
28 mOhms
- 12 V, 12 V
400 mV
- 55 C
+ 150 C
5.7 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRC04DP-T1-GE3
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78-SIRC04DP-T1-GE3
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
60 A
3.5 mOhms
- 16 V, 20 V
2.1 V
16.6 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
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TrenchFET, PowerPAK
Reel