SGT070R70HTO

STMicroelectronics
511-SGT070R70HTO
SGT070R70HTO

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-LL-11
700 V
26 A
70 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
231 W
Enhancement
GaN
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: SGT
Cantidad de empaque de fábrica: 1800
Subcategoría: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico: 7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 697 mg
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode transistor designed for demanding power conversion applications. Built on Gallium Nitride (GaN) technology, the STMicro SGT070R70HTO offers superior switching performance with a low on-resistance of 70mΩ and minimal gate charge, enabling high efficiency and reduced losses in high-frequency operations. With a 700V drain-source voltage rating, the transistor is ideal for applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. The device features robust thermal performance and is housed in a compact TO-LL package, making it suitable for designs where space and heat management are critical. Fast switching capability and low input capacitance contribute to improved system efficiency and power density, positioning the SGT070R70HTO as a strong choice for next-generation power electronics.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

En existencias: 310

Existencias:
310 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡5 183,84 ₡5 183,84
₡2 857,36 ₡28 573,60
₡2 669,99 ₡266 999,00
₡2 399,35 ₡2 399 350,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)
₡2 175,55 ₡3 915 990,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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