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NTBG014N120M3P

Name: onsemi NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG014N120M3P
Price: 16176.06 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBG014N120M3P

Fabricante N.º:

NTBG014N120M3P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Hoja de datos:

NTBG014N120M3P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	104 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.63 V
Qg - Carga de puerta:	337 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	454 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	NTBG014N120M3P
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	74 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-26 (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P de onsemi forma parte de la familia de MOSFETs SiC de tecnología planar M3P 1200 V. Los MOSFET de onsemi están optimizados para aplicaciones de potencia. La tecnología Planar funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se controla con una unidad de puertas de 18 V, pero también funciona bien con una unidad de puertas de 15 V.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡16 176,06	₡16 176,06
	₡12 090,41	₡120 904,10
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡12 090,41	₡9 672 328,00

NTBG014N120M3P

Fabricante: onsemi

Descripción: MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Especificaciones

Documentos (2)

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Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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