Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
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49 390En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
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8 845En existencias
7 500Se espera el 21/7/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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9 256En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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3 969En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
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65 184En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
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14 218En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
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16 510En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V
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140 080En existencias
93 000Se espera el 4/9/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH Mode FET -20V -6
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20 700En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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36 134En existencias
30 000Se espera el 16/7/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
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48 312En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
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29 689En existencias
225 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 1.4W
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38 277En existencias
57 000Se espera el 21/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
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68 919En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel
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45 590En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel .25W
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22 422En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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6 695En existencias
5 000Se espera el 3/9/2027
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
11 588En existencias
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Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
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9 422En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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9 330En existencias
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Máx.: 280
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
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6 642En existencias
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Máx.: 2 000
: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
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57 586En existencias
42 000Se espera el 27/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 1.25W
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14 057En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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21 765En existencias
51 000Se espera el 23/11/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
103 455En existencias
75 000Se espera el 21/9/2026
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: 3 000