Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 447
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V 377En existencias
34 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 307En existencias
18 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 260
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 1 091En existencias
1 000Se espera el 20/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 200V 103En existencias
63 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 200V 113En existencias
1 000Se espera el 15/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 51En existencias
18 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V 157En existencias
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V 370En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 640
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl HDMOS 256En existencias
3 000Se espera el 21/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS 1 963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Enhancement Mode 15En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS 1 927En existencias
6 000Se espera el 9/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate 2 002En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET 918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 90En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2.9A MOSFET 1 701En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
34 649En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 20V N-Chnl UMOS 479En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS 115En existencias
24 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A 45En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 395En existencias
27 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS 155En existencias
4 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS 1 590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 3 124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS 1 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 540
: 500