Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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2 940En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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3 018En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
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2 443En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
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2 582En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
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1 968En existencias
2 500Se espera el 4/9/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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709En existencias
75 000Se espera el 8/3/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN
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4 402En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
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15 715En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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7 600En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL
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13 223En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
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854En existencias
3 000Se espera el 14/5/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgs 292pF 3.8nC
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212En existencias
27 000Se espera el 9/9/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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2 350En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
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363En existencias
10 000Se espera el 21/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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5 136En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
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13 707En existencias
30 000Se espera el 31/8/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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343En existencias
6 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
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15 931En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
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1 357En existencias
81 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K
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1 960En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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27En existencias
6 000Se espera el 12/2/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900mW 20Vdss
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21En existencias
3 000Se espera el 23/11/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K
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1 959En existencias
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V
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7 734En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10
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12 137En existencias
20 000En pedido
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: 10 000