Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 447
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF 15En existencias
3 000Se espera el 21/8/2026
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm 284En existencias
15 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC 4 428En existencias
Min.: 1
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Máx.: 400
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF 167En existencias
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF 4 703En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF 2 309En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K 831En existencias
2 500Se espera el 4/8/2027
Min.: 1
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Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL 491En existencias
7 500En pedido
Min.: 1
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL 524En existencias
67 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL 241En existencias
2 500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A 744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K 1 854En existencias
Min.: 1
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: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET 1 929En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET 414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W 1 999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A 36En existencias
2 500Se espera el 4/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE 765En existencias
3 000Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
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Máx.: 450
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-DUAL 25En existencias
2 500Se espera el 28/7/2027
Min.: 1
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Máx.: 280
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V 3 679En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF 2 830En existencias
Min.: 1
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 4 792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 530
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4A N-CHANNEL 768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF 5 602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V 3 848En existencias
10 000Se espera el 18/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 850
: 10 000