Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 447
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 74En existencias
7 500Se espera el 27/8/2027
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 367En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K 129En existencias
9 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V 265En existencias
2 000Se espera el 23/6/2027
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: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 2 853En existencias
Min.: 1
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: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC 66En existencias
6 000En pedido
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500mW -20Vdss 2 291En existencias
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 39En existencias
21 000En pedido
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Máx.: 3 810
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 2 471En existencias
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Máx.: 530
: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 1 132En existencias
Min.: 1
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: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH MOSFET 22En existencias
Min.: 1
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: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH MOSFET 177En existencias
3 000Se espera el 23/8/2027
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH MOSFET 625En existencias
72 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 2 020
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V 1 458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 700mA 26En existencias
3 000Se espera el 2/9/2026
Min.: 1
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC 2 252En existencias
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A 681En existencias
3 000Se espera el 21/5/2027
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Máx.: 320
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K 65En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K 2 968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K 2 897En existencias
Min.: 1
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Máx.: 610
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 8 235En existencias
Min.: 1
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: 5 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 11 963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 190
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 1.25W 9 286En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K 21En existencias
3 000Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000