Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-CH MOSFET 10 366En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A 12 048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3 322En existencias
2 500Se espera el 21/4/2027
Min.: 1
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Máx.: 180
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 12En existencias
2 500Se espera el 25/8/2027
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF 606En existencias
24 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 2 000
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 522En existencias
3 000Se espera el 18/8/2027
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Máx.: 260
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 095En existencias
2 000Se espera el 6/9/2027
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Máx.: 290
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 875En existencias
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K 375En existencias
22 500En pedido
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Máx.: 600
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A 1 014En existencias
7 500En pedido
Min.: 1
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Máx.: 350
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH MOSFET 35En existencias
5 000Se espera el 8/12/2027
Min.: 1
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Máx.: 220
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A 726En existencias
42 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V 635En existencias
25 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 2 500
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -40V ENH Min RDSon -20VGss 139En existencias
12 500En pedido
Min.: 1
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Máx.: 2 500
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3 163En existencias
Min.: 1
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 20Vgs 587pF 12.2nC 11 678En existencias
486 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss 12 895En existencias
Min.: 1
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Máx.: 10 000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss 2 292En existencias
30 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA 14 636En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1 598En existencias
2 500Se espera el 12/3/2027
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Máx.: 170
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF 363En existencias
30 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 10En existencias
5 000Se espera el 17/9/2027
Min.: 1
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Máx.: 270
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs 539En existencias
35 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1 123En existencias
2 500Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC 337En existencias
12 500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500