Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2 062En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 23En existencias
2 500Se espera el 18/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 146En existencias
48 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 20En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 430
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 20En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 55En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 488En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 440
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 894En existencias
2 000Se espera el 20/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225mW 5 750En existencias
42 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 5 025En existencias
10 000Se espera el 7/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 350
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 3 092En existencias
42 000Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE 341En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V 60V 1 189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V 60V 102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS61V-100V 349En existencias
3 000Se espera el 1/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC 486En existencias
3 000Se espera el 10/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 410
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm 1 244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 1 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL 2 529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K 1 032En existencias
2 500Se espera el 21/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ 3 193En existencias
92 951En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 900
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K 832En existencias
7 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 2 287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 673En existencias
2 000Se espera el 23/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 240V 2 527En existencias
4 000Se espera el 28/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 4 000