Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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DMPH6250SQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6007LFGQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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ZXMS6004DN8-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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ZVN4424GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET
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ZXMN10A08GTA
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522-ZXMN10A08GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 70V 3.7A
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ZXMP7A17GTA
Diodes Incorporated
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522-ZXMP7A17GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 70V 3.7A
5 999 En pedido
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3 999 Se espera el 12/2/2027
2 000 Se espera el 11/6/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V
DMT10H009LH3
Diodes Incorporated
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621-DMT10H009LH3
Fin de vida útil
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V
2 En existencias
375 Se espera el 28/10/2026
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₡931,63
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₡452,28
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET
Diodes Incorporated BSP75NQTA
BSP75NQTA
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61 774 Se espera el 4/11/2026
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621-BSP75NQTA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET
61 774 Se espera el 4/11/2026
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₡261,27
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1 000
₡261,27
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Mult.: 1
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1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet
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DMC2020USD-13
Diodes Incorporated
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522-DMC2020USD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet
27 094 En pedido
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14 594 Se espera el 9/10/2026
12 500 Se espera el 25/6/2027
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₡733,86
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₡300,31
2 500
₡188,41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
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DMN6066SSD-13
Diodes Incorporated
1:
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17 492 En pedido
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522-DMN6066SSD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17 492 En pedido
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4 992 Se espera el 12/2/2027
12 500 Se espera el 22/10/2027
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40 Semanas
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₡567,31
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₡293,02
2 500
₡178,52
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2 500
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Rectificadores y diodos Schottky 10V Low Leakage Schottky diode
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ZLLS410TA
Diodes Incorporated
1:
₡536,08
11 797 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZLLS410TA
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky 10V Low Leakage Schottky diode
11 797 En pedido
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5 797 Se espera el 29/1/2027
6 000 Se espera el 14/4/2027
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40 Semanas
1
₡536,08
10
₡341,43
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₡225,88
500
₡171,23
3 000
₡171,23
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Min.: 1
Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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ZVN3306FTA
Diodes Incorporated
1:
₡468,42
33 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZVN3306FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
33 000 En pedido
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En pedido:
6 000 Se espera el 16/12/2026
6 000 Se espera el 17/2/2027
9 000 Se espera el 3/3/2027
12 000 Se espera el 11/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡468,42
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₡190,49
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₡170,71
1 000
₡140,53
3 000
₡121,27
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
1:
₡1 311,57
3 975 Se espera el 2/10/2026
N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
3 975 Se espera el 2/10/2026
1
₡1 311,57
10
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100
₡572,51
1 000
₡416,89
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Min.: 1
Mult.: 1
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1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V
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ZVN4525E6TA
Diodes Incorporated
1:
₡994,09
5 853 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4525E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V
5 853 En pedido
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2 853 Se espera el 27/1/2027
3 000 Se espera el 23/8/2027
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40 Semanas
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₡994,09
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₡619,35
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₡422,10
3 000
₡422,10
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P Chnl HDMOS
ZXM64P03XTA
Diodes Incorporated
1:
₡1 280,34
7 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXM64P03XTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P Chnl HDMOS
7 000 En pedido
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1 000 Se espera el 19/4/2027
1 000 Se espera el 12/5/2027
2 000 Se espera el 21/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡1 280,34
10
₡697,42
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₡556,90
1 000
₡407,00
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Mult.: 1
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1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
ZXMN10A11KTC
Diodes Incorporated
1:
₡817,13
4 997 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A11KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
4 997 En pedido
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2 497 Se espera el 16/11/2026
2 500 Se espera el 18/11/2026
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40 Semanas
1
₡817,13
10
₡503,29
100
₡331,54
500
₡260,75
1 000
₡222,76
2 500
₡185,81
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Mult.: 1
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2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
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ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
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₡947,25
35 033 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
35 033 En pedido
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2 033 Se espera el 13/11/2026
6 000 Se espera el 11/6/2027
12 000 Se espera el 2/7/2027
15 000 Se espera el 23/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
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₡947,25
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₡384,10
500
₡354,96
3 000
₡233,69
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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ZXMN2B01FTA
Diodes Incorporated
1:
₡520,47
33 471 Se espera el 23/11/2026
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2B01FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
33 471 Se espera el 23/11/2026
1
₡520,47
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₡238,37
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₡199,86
1 000
₡173,31
3 000
₡107,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
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ZXMN3A01E6TA
Diodes Incorporated
1:
₡634,97
23 979 Se espera el 21/1/2027
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
23 979 Se espera el 21/1/2027
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10
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₡258,15
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₡208,71
1 000
₡183,20
3 000
₡158,22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
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ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated
1:
₡442,40
53 348 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
53 348 En pedido
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