Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176 950En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 7En existencias
9 000Se espera el 23/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA 11En existencias
9 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
266 897En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K 1En existencias
9 000Se espera el 1/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
108 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 740
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
33 450En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
178 825En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7 500
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
10 124Se espera el 12/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET
32 238En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 70V 3.7A
5 999En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V 2En existencias
375Se espera el 28/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 225

Diodes Incorporated BSP75NQTA
Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET
61 774Se espera el 4/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet
27 094En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 250
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17 492En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 210
: 2 500


Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 10V Low Leakage Schottky diode
11 797En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
33 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
3 975Se espera el 2/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V
5 853En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P Chnl HDMOS
7 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
4 997En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
35 033En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
33 471Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
23 979Se espera el 21/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS
53 348En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740
: 3 000