Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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11 100Se espera el 21/10/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 300mA
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
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19 995Se espera el 12/4/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
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65 900Se espera el 25/11/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
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7 500Se espera el 9/10/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
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24 763En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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6 000Se espera el 6/9/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
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83 945En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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195 174Se espera el 4/9/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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6 000Se espera el 26/2/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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59 937En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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77 630En pedido
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