Resultados: 24
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
947En existencias
Cinta cortada
₡10 971,41
₡8 244,17
₡7 801,78
Envase tipo carrete
₡7 801,78
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3 245En existencias
Cinta cortada
₡14 286,78
₡11 111,94
₡10 601,88
₡10 518,61
Envase tipo carrete
₡10 518,61
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1 338En existencias
₡11 007,84
₡7 760,14
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V
Hoja de datos
1 028En existencias
₡6 037,40
₡4 184,54
₡4 070,04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
1 830En existencias
Cinta cortada
₡4 913,19
₡2 872,97
₡2 685,60
₡2 539,87
Envase tipo carrete
₡2 539,87
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V
Hoja de datos
1 858En existencias
Cinta cortada
₡14 536,60
₡11 278,49
₡10 674,75
Envase tipo carrete
₡10 674,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
438En existencias
₡6 885,76
₡4 106,47
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
497En existencias
₡5 277,52
₡3 502,73
₡3 299,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1 046En existencias
₡9 961,71
₡7 047,10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1 589En existencias
₡6 297,63
₡4 361,50
₡4 273,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
380En existencias
₡5 693,89
₡3 695,30
₡3 502,73
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
794En existencias
Cinta cortada
₡6 714,00
₡4 387,52
₡4 179,34
₡4 153,31
Envase tipo carrete
₡4 153,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
202En existencias
₡14 973,79
₡10 513,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Hoja de datos
314En existencias
₡6 261,20
₡4 366,70
₡4 278,23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V
Hoja de datos
2 160En existencias
Cinta cortada
₡20 277,33
₡15 338,12
₡15 327,71
₡14 520,98
Envase tipo carrete
₡14 520,98
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
745En existencias
₡20 115,99
₡14 182,68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V
Hoja de datos
330En existencias
Cinta cortada
₡6 916,99
₡4 439,57
₡4 200,16
Envase tipo carrete
₡4 200,16
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
426En existencias
Cinta cortada
₡7 114,76
₡4 236,59
₡4 007,58
Envase tipo carrete
₡4 007,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
177En existencias
₡17 872,78
₡14 250,34
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Hoja de datos
1 733En existencias
₡5 360,79
₡3 788,99
₡3 154,02
₡2 810,51
₡2 633,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
363En existencias
450Se espera el 26/10/2026
₡12 147,66
₡7 656,05
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
477En existencias
450Se espera el 9/11/2026
₡5 230,68
₡2 867,76
₡2 643,96
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
183En existencias
₡6 802,48
₡3 773,37
₡3 606,83
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MOHM 900V
Hoja de datos
14En existencias
450Se espera el 4/11/2026
₡15 494,25
₡10 784,04
₡10 612,29
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC