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RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 806.72 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RF4G100BGTCR

Fabricante N.º:

RF4G100BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 10A

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	10.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns
Alias de las piezas n.º:	RF4G100BG

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RF4G100BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Channel Power MOSFET is a 40V, 10A MOSFET featuring a low 14.2mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4G100BG has a 27ns (typical) reverse recovery time and an 18nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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Existencias:: 740

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Plazo de entrega de fábrica:: 28

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡806,72	₡806,72
	₡379,94	₡3 799,40
	₡337,78	₡33 778,00
	₡263,88	₡131 940,00
	₡253,99	₡253 990,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡197,78	₡593 340,00
	₡187,37	₡1 686 330,00

RF4G100BGTCR

Fabricante: ROHM Semiconductor

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 10A

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