Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
RF7G120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡1 046,14
601 En existencias
6 000 Se espera el 9/12/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF7G120BKFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
601 En existencias
6 000 Se espera el 9/12/2026
1
₡1 046,14
10
₡492,36
100
₡437,19
500
₡343,51
1 000
₡294,06
3 000
₡229,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
RF7G120BLFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡863,97
2 480 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF7G120BLFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
2 480 En existencias
1
₡863,97
10
₡409,09
100
₡364,85
500
₡286,26
3 000
₡229,00
9 000
₡222,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
RF7L120BJFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡843,15
2 752 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF7L120BJFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
2 752 En existencias
1
₡843,15
10
₡399,72
100
₡356,00
500
₡279,49
3 000
₡222,76
9 000
₡215,99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
RF7P120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡874,38
1 621 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF7P120BKFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
1 621 En existencias
1
₡874,38
10
₡556,90
100
₡368,49
500
₡289,38
1 000
₡263,88
3 000
₡231,61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
RF9G120BLFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡869,18
3 000 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF9G120BLFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
3 000 En existencias
1
₡869,18
10
₡410,13
100
₡365,89
500
₡287,30
3 000
₡229,53
9 000
₡223,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
RF9L120BLFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡874,38
2 955 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF9L120BLFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
2 955 En existencias
1
₡874,38
10
₡556,90
100
₡369,53
500
₡290,42
3 000
₡232,13
6 000
Ver
1 000
₡264,40
6 000
₡225,36
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
RF9P120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡890,00
2 493 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF9P120BKFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
2 493 En existencias
1
₡890,00
10
₡421,06
100
₡375,26
500
₡295,10
3 000
₡236,29
6 000
Ver
1 000
₡281,05
6 000
₡235,77
9 000
₡231,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN7 N CHAN 100V
RF9P120BLFRATCR
ROHM Semiconductor
1:
₡869,18
2 935 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RF9P120BLFRATCR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN7 N CHAN 100V
2 935 En existencias
1
₡869,18
10
₡411,17
100
₡366,41
500
₡287,82
3 000
₡230,05
9 000
₡224,32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN3333 P-CH 40V 40A
RH7G04BBJFRATCB
ROHM Semiconductor
1:
₡1 280,34
512 En existencias
3 000 Se espera el 2/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RH7G04BBJFRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN3333 P-CH 40V 40A
512 En existencias
3 000 Se espera el 2/10/2026
1
₡1 280,34
10
₡733,86
100
₡556,90
500
₡445,00
1 000
₡430,95
3 000
₡366,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
RJ1G04BBGTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡2 264,02
800 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RJ1G04BBGTL1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
800 En existencias
1
₡2 264,02
10
₡1 488,53
100
₡1 046,14
500
₡827,54
800
₡827,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N CHAN 40V
RQ3G120BKFRATCB
ROHM Semiconductor
1:
₡890,00
2 800 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3G120BKFRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N CHAN 40V
2 800 En existencias
1
₡890,00
10
₡422,10
100
₡376,30
500
₡296,14
3 000
₡236,81
9 000
Ver
1 000
₡270,64
9 000
₡232,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 60V
RQ3L120BLFRATCB
ROHM Semiconductor
1:
₡900,41
2 900 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L120BLFRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 60V
2 900 En existencias
1
₡900,41
10
₡572,51
100
₡379,94
500
₡299,27
3 000
₡239,41
6 000
Ver
1 000
₡272,72
6 000
₡233,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 100V
RQ3P120BLFRATCB
ROHM Semiconductor
1:
₡900,41
3 000 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3P120BLFRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 100V
3 000 En existencias
1
₡900,41
10
₡428,34
100
₡382,02
500
₡300,83
3 000
₡240,46
9 000
Ver
1 000
₡286,78
9 000
₡236,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC96 N CHAN 40V
RQ5G040ATTCL
ROHM Semiconductor
1:
₡447,60
2 561 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ5G040ATTCL
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC96 N CHAN 40V
2 561 En existencias
1
₡447,60
10
₡278,97
100
₡180,60
500
₡137,92
3 000
₡106,70
6 000
Ver
1 000
₡124,39
6 000
₡97,85
9 000
₡89,52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 40V 6A
RQ5G060BGTCL
ROHM Semiconductor
1:
₡520,47
2 905 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ5G060BGTCL
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 40V 6A
2 905 En existencias
1
₡520,47
10
₡322,69
100
₡210,27
500
₡161,34
3 000
₡125,43
6 000
Ver
1 000
₡145,73
6 000
₡115,54
9 000
₡108,26
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
RQ5L030ATTCL
ROHM Semiconductor
1:
₡473,62
2 790 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ5L030ATTCL
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
2 790 En existencias
1
₡473,62
10
₡216,51
100
₡191,01
500
₡146,25
3 000
₡112,94
9 000
₡99,41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 100A, TO-220FP, Power MOSFET
RX2G07BBGC7G
ROHM Semiconductor
1:
₡1 868,47
980 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RX2G07BBGC7G
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 100A, TO-220FP, Power MOSFET
980 En existencias
1
₡1 868,47
10
₡1 014,91
100
₡827,54
500
₡692,22
1 000
₡634,97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
RX2L07BBGC7G
ROHM Semiconductor
1:
₡1 873,68
937 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RX2L07BBGC7G
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
937 En existencias
1
₡1 873,68
10
₡1 020,11
100
₡832,74
500
₡692,22
1 000
₡640,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RX2P06BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
RX2P06BBHC7G
ROHM Semiconductor
1:
₡1 930,93
989 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RX2P06BBHC7G
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RX2P06BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
989 En existencias
1
₡1 930,93
10
₡947,25
100
₡858,77
500
₡718,24
1 000
Ver
1 000
₡713,04
2 000
₡671,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
SH8KB5TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡806,72
2 376 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-SH8KB5TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
2 376 En existencias
1
₡806,72
10
₡510,58
100
₡339,34
500
₡265,96
2 500
₡215,99
5 000
Ver
1 000
₡242,02
5 000
₡201,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
SH8KE5TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡806,72
2 433 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-SH8KE5TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
2 433 En existencias
1
₡806,72
10
₡381,50
100
₡339,34
500
₡265,96
2 500
₡215,99
5 000
₡203,50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
YQ1MM10ATFTR
ROHM Semiconductor
1:
₡447,60
3 068 En existencias
12 000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-YQ1MM10ATFTR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
3 068 En existencias
12 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
3 068 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9 000 Se espera el 26/8/2026
3 000 Se espera el 10/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
1
₡447,60
10
₡201,42
100
₡176,96
500
₡134,28
3 000
₡102,53
6 000
Ver
1 000
₡123,35
6 000
₡77,03
9 000
₡70,26
24 000
₡67,66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
YQ3VWM10BTFTR
ROHM Semiconductor
1:
₡322,69
4 163 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-YQ3VWM10BTFTR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
4 163 En existencias
1
₡322,69
10
₡197,26
100
₡125,95
500
₡95,25
3 000
₡71,82
6 000
Ver
1 000
₡85,36
6 000
₡65,58
9 000
₡56,21
24 000
₡54,65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
YQ3VWM10BTR
ROHM Semiconductor
1:
₡281,05
2 063 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-YQ3VWM10BTR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
2 063 En existencias
1
₡281,05
10
₡125,95
100
₡110,34
500
₡82,75
3 000
₡60,89
6 000
Ver
6 000
₡57,77
9 000
₡51,01
24 000
₡45,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
HP8JE5TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 561,40
1 956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8JE5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
1 956 En existencias
1
₡1 561,40
10
₡775,49
100
₡697,42
500
₡562,10
1 000
₡546,49
2 500
₡504,33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles