Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 80A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 120A N-CH MOSFET
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950En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 170A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 20A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
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2 500Se espera el 23/10/2026
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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