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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 910.81 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR186LDP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIR186LDP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

Hoja de datos:

SIR186LDP-T1-RE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	31.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	57 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	54 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiR186LDP N-Channel 60V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiR186LDP N-Channel 60V (D-S) MOSFETs utilize TrenchFET^® Gen IV power MOSFET technology. The SiR186LDP MOSFETs feature very low R_DS Q_g figure-of-merit (FOM) and are tuned for the lowest R_DS Q_oss FOM. The Vishay / Siliconix SiR186LDP N-Channel 60V (D-S) MOSFETs are ideal for synchronous rectification, primary-side switch, DC/DC converter, and motor drive switch applications.

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SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

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Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

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Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

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TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

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Existencias:: 9 969 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 6000

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡910,81	₡910,81
	₡582,92	₡5 829,20
	₡386,71	₡38 671,00
	₡304,47	₡152 235,00
	₡277,93	₡277 930,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡241,50	₡724 500,00
	₡240,98	₡1 445 880,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

SIR186LDP-T1-RE3

Fabricante: Vishay / Siliconix

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

Especificaciones

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