Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL 880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET 2 813En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET 2 159En existencias
3 000Se espera el 13/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 2 501En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL 2 284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 4 773En existencias
3 000Se espera el 3/11/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 57 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 5 424En existencias
9 000Se espera el 5/1/2028
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 870
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 2 857En existencias
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 6 014En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 6 206En existencias
4 500Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 570
: 1 500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms 3 818En existencias
3 000Se espera el 27/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 510
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 337 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 147 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 2 895En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI 1 357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS 210En existencias
4 500Se espera el 30/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS 1 479En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS 717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS 1 523En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 155 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS 2 725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 106 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI 840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET 84En existencias
9 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET 221En existencias
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 1 084En existencias
1 500Se espera el 8/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 1 535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL 507En existencias
3 000Se espera el 14/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 60 V 38 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 1 307En existencias
3 000Se espera el 25/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape