Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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3 609En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 41 A 13.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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30En existencias
18 000En pedido
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Máx.: 1 850
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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4 155En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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281En existencias
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: 1 500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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10En existencias
1 500Se espera el 19/10/2026
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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1 596En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 210
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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1 660En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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29En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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169En existencias
1 500En pedido
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Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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107En existencias
36 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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31En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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358En existencias
1 500Se espera el 26/8/2026
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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93En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S
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1 075En existencias
10 500En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 1 870
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U
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1 422En existencias
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U
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220En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
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: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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2 887En existencias
9 000Se espera el 5/1/2028
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Min.: 1
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Máx.: 870
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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2 964En existencias
4 500En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1 066En existencias
1 500Se espera el 26/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1 365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 32 A 20.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
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821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
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1 054En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
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6En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 125 nC - 55 C + 175 C 258 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
14En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 910
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape