U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 155 025En existencias
Cinta cortada
₡156,14
₡68,70
₡59,85
₡44,24
Envase tipo carrete
₡26,54
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: 10 000
Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W 18 706En existencias
Cinta cortada
₡244,62
₡107,74
₡94,20
₡70,26
Envase tipo carrete
₡44,24
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 20 V 700 mA 500 mOhms 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A 67 794En existencias
213 000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
₡265,44
₡121,27
₡107,22
₡82,75
Envase tipo carrete
₡56,21
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 17.6 mOhms 8 V 300 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 88 370En existencias
60 000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
₡255,03
₡112,42
₡98,37
₡73,39
Envase tipo carrete
₡51,53
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Min.: 1
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 96 012En existencias
Cinta cortada
₡275,85
₡169,67
₡107,74
₡81,19
Envase tipo carrete
₡60,89
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 59 191En existencias
Cinta cortada
₡130,12
₡56,21
₡48,92
₡35,91
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Envase tipo carrete
₡18,74
Min.: 1
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: 8 000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A 31 070En existencias
Cinta cortada
₡359,12
₡160,82
₡128,55
₡117,63
Envase tipo carrete
₡97,85
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 10 A 40.1 mOhms 10 V 1 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 7 919En existencias
Cinta cortada
₡124,91
₡55,17
₡47,88
₡35,39
Envase tipo carrete
₡25,50
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W 630En existencias
10 000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
₡255,03
₡113,98
₡99,93
₡74,43
Envase tipo carrete
₡44,24
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1 A 370 mOhms 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch 1 535En existencias
21 000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
₡369,53
₡166,03
₡146,25
₡110,86
Envase tipo carrete
₡84,32
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.25W 1 330En existencias
4 000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
₡208,19
₡91,60
₡79,63
₡59,33
Envase tipo carrete
₡42,16
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: 4 000
Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms 10 V 1 V + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.285W
6 000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
₡260,23
₡115,54
₡100,97
₡75,99
Envase tipo carrete
₡56,73
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms 10 V 1 V + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel