Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A

El MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A de Texas Instruments es un MOSFET de potencia de 3.2 mΩ y de canal N de 30 V. El dispositivo está diseñado para minimizar la pérdida en las aplicaciones de conversión de potencia. Este MOSFET ofrece bajos niveles de Qg, Qgd, R_DS(on) y baja resistencia térmica. Estas funciones hacen que estos dispositivos sean ideales para el convertidor reductor sincrónico de punto de carga para aplicaciones en los sistemas de redes, telecomunicaciones e informáticos. Este dispositivo también tiene un buen funcionamiento en las aplicaciones de control de motores, y está optimizado para las aplicaciones FET de control.
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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A CSD17581Q3AT Texas Instruments 1: ₡947,25 106En existencias 1 250Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante CSD17581Q3AT N.º de artículo de Mouser 595-CSD17581Q3AT	Texas Instruments	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A Obtenga más información sobre Texas Instruments ti csd17581q3a mosfet	Hoja de datos	106En existencias 1 250Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada ₡947,25 ₡450,20 ₡349,23 Envase tipo carrete ₡349,23 ₡299,79 Ver ₡294,06 ₡282,61 ₡269,60 ₡253,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			Si	SMD/SMT	VSONP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	60 A	3.9 mOhms	20 V	1 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	NexFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT CSD17581Q3A Texas Instruments 1: ₡608,94 106En existencias 20 000Se espera el 14/6/2027	N.º de artículo del Fabricante CSD17581Q3A N.º de artículo de Mouser 595-CSD17581Q3A	Texas Instruments	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT Obtenga más información sobre Texas Instruments ti csd17581q3a mosfet	Hoja de datos	106En existencias 20 000Se espera el 14/6/2027	Cinta cortada ₡608,94 ₡282,09 ₡250,34 ₡193,61 Envase tipo carrete ₡155,10 Ver ₡188,93 ₡136,88 ₡135,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500			Si	SMD/SMT	VSONP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	25 A	3.9 mOhms	20 V	1 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	NexFET	Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A

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