1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs). These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 1200V SiC MOSFETs include 100%-tested avalanche capability, 30% longer short-circuit withstand time, and tight threshold voltage distributions for easy paralleling. These MOSFETs offer a low RDS(ON), superior power density, and cool-running performance. The 1200V SiC MOSFETs achieve up to 95.5% peak efficiency in EV charging and power conversion systems. These MOSFETs are ideal for applications, including EVs and DC-DC converters.

Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753En existencias
Cinta cortada
₡16 040,74
₡11 913,45
₡11 637,61
₡11 621,99
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Envase tipo carrete
₡9 966,91
Min.: 1
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: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 888En existencias
Cinta cortada
₡14 318,00
₡10 372,88
₡9 784,75
₡9 467,27
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Envase tipo carrete
₡8 041,19
Min.: 1
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: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 525En existencias
Cinta cortada
₡10 216,74
₡7 406,22
₡6 651,55
₡6 615,12
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Envase tipo carrete
₡5 818,80
Min.: 1
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: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 485En existencias
Cinta cortada
₡4 741,44
₡3 445,48
₡2 992,68
₡2 669,99
Envase tipo carrete
₡2 534,67
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Min.: 1
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: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 428En existencias
₡16 686,12
₡16 467,53
₡10 981,82
₡10 711,18
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536En existencias
₡14 656,31
₡14 432,51
₡9 300,72
₡8 868,73
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 224En existencias
Cinta cortada
₡11 877,02
₡8 540,84
₡7 812,19
Envase tipo carrete
₡6 630,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
₡11 809,36
₡11 543,92
₡7 317,74
₡6 864,94
₡6 740,03
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
₡10 565,45
₡10 435,33
₡6 266,40
₡6 073,83
₡5 865,65
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761En existencias
Cinta cortada
₡8 077,62
₡5 870,85
₡5 058,92
₡5 043,31
₡5 038,11
Envase tipo carrete
₡4 330,27
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 416En existencias
₡7 963,12
₡7 780,96
₡4 814,30
₡4 689,39
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Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 550En existencias
Cinta cortada
₡6 448,57
₡4 585,30
₡3 773,37
₡3 710,92
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₡3 492,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473En existencias
₡6 432,95
₡6 349,68
₡3 856,65
₡3 580,80
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Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 562En existencias
Cinta cortada
₡5 771,96
₡4 111,68
₡3 357,00
₡3 232,09
Envase tipo carrete
₡2 768,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 685En existencias
₡6 011,38
₡5 974,94
₡3 419,46
₡3 169,63
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Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement