650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density, demanded by various applications. These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 650V SiC MOSFETs offer the best-in-class 20mΩ to 55mΩ low on-resistance range. These MOSFETs feature a peak efficiency above 97% at 137W/inch³ power density. The 650V SiC MOSFETs come in a thermally enhanced, rugged, high-speed, surface-mount TOLL package. Typical applications include AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Cinta cortada
₡10 445,74
₡7 604,00
₡6 797,28
₡6 792,07
Envase tipo carrete
₡5 818,80
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Cinta cortada
₡7 520,73
₡5 501,32
₡4 642,55
₡4 637,35
Envase tipo carrete
₡3 971,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 458En existencias
₡8 431,54
₡8 285,81
₡5 064,13
₡5 022,49
₡4 611,32
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200En existencias
Cinta cortada
₡7 505,11
₡5 688,69
₡4 861,15
₡4 845,53
Envase tipo carrete
₡4 439,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 200
SMD/SMT TO-LL 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 133En existencias
₡7 000,26
₡6 854,53
₡4 533,25
₡4 220,97
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 750En existencias
Cinta cortada
₡6 391,32
₡4 564,48
₡3 861,85
₡3 710,92
Envase tipo carrete
₡3 122,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 050En existencias
₡6 422,54
₡6 110,26
₡4 335,48
₡4 033,61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 055En existencias
Cinta cortada
₡6 167,51
₡4 517,64
₡3 726,53
₡3 664,08
Ver
Envase tipo carrete
₡3 263,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 200
SMD/SMT TO-LL 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 129En existencias
₡5 558,57
₡5 444,07
₡3 669,28
₡3 252,91
₡3 018,70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 740En existencias
Cinta cortada
₡5 235,88
₡3 664,08
₡3 029,11
₡2 852,15
Envase tipo carrete
₡2 399,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 056En existencias
₡5 064,13
₡4 845,53
₡3 476,71
₡3 221,68
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Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200En existencias
Cinta cortada
₡4 335,48
₡3 128,00
₡2 643,96
₡2 435,78
₡2 425,37
Envase tipo carrete
₡2 165,14
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 200
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
₡10 560,24
₡10 242,76
₡6 807,69
₡6 386,11
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement