40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower RDS(on) and 45% lower Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density.  A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate package
Hoja de datos
3 500En existencias
Cinta cortada
₡2 154,73
₡1 410,46
₡1 051,34
₡879,59
Ver
Envase tipo carrete
₡692,22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 271 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate Dual-Side Cooled (DSC) package
Hoja de datos
3 500En existencias
Cinta cortada
₡2 269,23
₡1 160,64
₡1 051,34
₡884,79
Ver
Envase tipo carrete
₡723,45
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
25 696En existencias
30 000Se espera el 31/12/2026
Cinta cortada
₡1 217,89
₡593,33
₡530,87
₡422,10
Envase tipo carrete
₡353,40
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
20 603En existencias
15 000Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
₡952,45
₡453,33
₡404,40
₡319,05
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Envase tipo carrete
₡254,51
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 77 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
13 150Se espera el 1/4/2027
Cinta cortada
₡1 176,25
₡749,47
₡503,29
₡408,04
₡393,47
Envase tipo carrete
₡348,71
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel