AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 100 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: EliteSiC
Peso de la unidad: 7,326 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.

En existencias: 834

Existencias:
834 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡6 089,45 ₡6 089,45
₡3 856,65 ₡38 566,50
₡3 086,36 ₡370 363,20
₡2 961,45 ₡1 510 339,50
₡2 925,02 ₡2 983 520,40

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