NVMFS5C612N Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFS5C612N Automotive Power MOSFETs feature low RDS(on), QG, and gate capacitance that minimizes conduction and switching losses. onsemi NVMFS5C612N Automotive MOSFETs come in a 5mm × 6mm flat lead package designed for high thermal performance. Typical applications include reverser battery protection, switching power supplies, power switches, solenoid drivers, motor control, and load switches.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 2 198En existencias
Cinta cortada
₡3 013,49
₡1 977,77
₡1 254,32
₡1 171,05
₡1 155,43
Envase tipo carrete
₡1 155,43
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 1 050En existencias
Cinta cortada
₡2 951,04
₡1 540,58
₡1 405,26
Envase tipo carrete
₡1 405,26
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.36 mOhms 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 728En existencias
1 500Se espera el 9/2/2027
Cinta cortada
₡3 159,22
₡1 878,88
₡1 524,96
₡1 358,41
₡1 212,68
Envase tipo carrete
₡1 212,68
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 1 991En existencias
Cinta cortada
₡2 758,47
₡1 436,48
₡1 306,37
₡1 155,43
₡1 103,39
Envase tipo carrete
₡1 087,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms 17En existencias
3 000Se espera el 2/2/2027
Cinta cortada
₡3 554,78
₡2 165,14
₡1 764,38
₡1 618,65
₡1 488,53
Envase tipo carrete
₡1 488,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
2 279Se espera el 5/1/2027
Cinta cortada
₡3 075,95
₡1 618,65
₡1 472,92
₡1 337,60
₡1 223,09
Envase tipo carrete
₡1 223,09
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel