Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg 1 624En existencias
Cinta cortada
₡2 014,20
₡1 311,57
₡957,66
₡801,52
Envase tipo carrete
₡744,27
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl 1 392En existencias
Cinta cortada
₡2 435,78
₡1 254,32
₡1 139,82
₡921,22
Envase tipo carrete
₡921,22
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg 83En existencias
800En pedido
Cinta cortada
₡2 862,56
₡1 483,33
₡1 337,60
₡1 108,59
Envase tipo carrete
₡1 056,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg 809En existencias
800Se espera el 22/7/2027
Cinta cortada
₡2 357,71
₡1 212,68
₡1 061,75
₡916,02
Envase tipo carrete
₡874,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg 758En existencias
800Se espera el 16/9/2027
Cinta cortada
₡1 691,51
₡869,18
₡739,06
₡598,54
Envase tipo carrete
₡536,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.3 mOhms 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
2 993Se espera el 21/10/2027
₡1 889,29
₡952,45
₡858,77
₡811,93
₡692,22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
1 450En pedido
Cinta cortada
₡2 857,36
₡1 488,53
₡1 353,21
₡1 233,50
Envase tipo carrete
₡1 098,18
₡1 087,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel