Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
4 655En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
3 183En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
1 254En existencias
1 000Se espera el 3/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
8 862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
5 693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
26 980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
1 230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
996En existencias
2 500Se espera el 24/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
961En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
88En existencias
5 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
3 792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
3 035En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
9 500Se espera el 9/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
Plazo de entrega 19 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape