Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 165,84 4 655En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R600PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R600PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4 655En existencias	Cinta cortada ₡1 165,84 ₡728,65 ₡479,87 ₡380,46 Envase tipo carrete ₡296,67 Ver ₡338,30 ₡309,16 ₡289,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	Thin-PAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	600 mOhms	20 V	4 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡785,90 80 997En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R600PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R600PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	80 997En existencias	Cinta cortada ₡785,90 ₡368,49 ₡327,89 ₡255,55 ₡245,14 Envase tipo carrete ₡180,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	6 A	600 mOhms	20 V	4.5 V	8.5 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 405,26 3 157En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R210PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R210PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3 157En existencias	Cinta cortada ₡1 405,26 ₡692,22 ₡624,56 ₡498,09 ₡488,20 Envase tipo carrete ₡437,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	64 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡801,52 3 496En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3 496En existencias	Cinta cortada ₡801,52 ₡392,95 ₡325,81 ₡256,07 Envase tipo carrete ₡182,68 Ver ₡226,40 ₡166,55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 223,09 3 750En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R360PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R360PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3 750En existencias	Cinta cortada ₡1 223,09 ₡687,01 ₡525,67 ₡424,18 ₡414,29 Envase tipo carrete ₡341,43	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡634,97 8 862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8 862En existencias	Cinta cortada ₡634,97 ₡295,62 ₡262,31 ₡203,50 Envase tipo carrete ₡166,03 Ver ₡196,74 ₡163,43 ₡145,73	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡978,47 5 568En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R360PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R360PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	5 568En existencias	Cinta cortada ₡978,47 ₡465,30 ₡409,09 ₡320,61 Envase tipo carrete ₡260,23 Ver ₡303,95 ₡247,22 ₡244,62	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡588,13 1 230En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5PFD7SAT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1 230En existencias	Cinta cortada ₡588,13 ₡271,68 ₡240,46 ₡185,81 Envase tipo carrete ₡145,21 Ver ₡175,92 ₡138,44 ₡130,12	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	1.5 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡645,38 941En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	941En existencias	Cinta cortada ₡645,38 ₡300,83 ₡291,46 ₡229,00 Envase tipo carrete ₡166,55 Ver ₡211,31 ₡148,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 035,02 39En existencias 1 000Se espera el 31/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R125PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R125PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	39En existencias 1 000Se espera el 31/12/2026	₡2 035,02 ₡1 176,25 ₡926,43 ₡754,67 ₡749,47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	235 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 530,17 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R210PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R210PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	₡1 530,17 ₡754,67 ₡681,81 ₡546,49 Ver ₡525,67 ₡520,47 ₡489,76	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 056,54 159En existencias 5 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	159En existencias 5 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R360PFD7SAUMA1 Existencias: 159 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2 500 Se espera el 27/5/2027 2 500 Se espera el 3/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	Cinta cortada ₡1 056,54 ₡562,10 ₡436,67 ₡328,41 Envase tipo carrete ₡269,60 ₡263,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	715 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡796,31 3 756En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3 756En existencias	Cinta cortada ₡796,31 ₡374,21 ₡333,10 ₡260,75 Envase tipo carrete ₡211,83 ₡198,82	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡562,10 2 625En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R2K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R2K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	2 625En existencias	Cinta cortada ₡562,10 ₡260,23 ₡230,05 ₡177,48 Envase tipo carrete ₡138,44 Ver ₡171,23 ₡134,28 ₡122,83	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3 A	2 Ohms	20 V	4 V	3.8 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 238,71 Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	Cinta cortada ₡1 238,71 ₡603,74 ₡530,87 ₡424,18 ₡402,84 Envase tipo carrete ₡341,43	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	549 mOhms	20 V	4 V	15.3 nC	- 40 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 004,50 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada ₡1 004,50 ₡629,76 ₡413,77 ₡328,41 Envase tipo carrete ₡256,07 Ver ₡291,98 ₡267,00 ₡250,34	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

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