Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 61

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 341,39 6 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N012ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS300N08S5N012	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	6 100En existencias	Cinta cortada ₡3 341,39 ₡1 837,24 ₡1 681,10 ₡1 561,40 ₡1 478,12 Envase tipo carrete ₡1 478,12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.7 mOhms	20 V	3.8 V	231 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 759,17 22 491En existencias 10 000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N10S5L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N10S5L040	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	22 491En existencias 10 000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada ₡1 759,17 ₡879,59 ₡770,29 ₡645,38 Ver Envase tipo carrete ₡588,13 ₡629,76 ₡588,13 ₡588,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	4 Ohms	20 V	1.2 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 795,61 17 251En existencias 25 000Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N10S5N040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N10S5N040	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	17 251En existencias 25 000Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada ₡1 795,61 ₡931,63 ₡780,70 ₡660,99 Ver Envase tipo carrete ₡588,13 ₡640,17 ₡588,13 ₡588,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	5.6 mOhms	20 V	2.2 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 243,21 6 035En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUT200N08S5N023ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT200N08S5N023	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	6 035En existencias	Cinta cortada ₡2 243,21 ₡1 202,28 ₡1 040,93 ₡916,02 ₡884,79 Envase tipo carrete ₡874,38	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	200 A	2.3 mOhms	20 V	2.2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 742,85 3 879En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS240N08S5N019ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS240N08S5N019	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3 879En existencias	Cinta cortada ₡2 742,85 ₡1 426,08 ₡1 295,96 ₡1 145,02 ₡1 077,36 Envase tipo carrete ₡1 077,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	240 A	3 mOhms	20 V	2.2 V	130 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡713,04 5 000En existencias 5 000Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC28N08S5L230ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC28N08S5L230A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	5 000En existencias 5 000Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada ₡713,04 ₡330,50 ₡282,61 ₡227,96 Envase tipo carrete ₡164,47 Ver ₡222,76 ₡198,30 ₡159,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	28 A	23 mOhms	20 V	2 V	11.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡770,29 15 897En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUZ30N10S5L240ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ30N10S5L240A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	15 897En existencias	Cinta cortada ₡770,29 ₡360,68 ₡321,13 ₡250,86 Ver Envase tipo carrete ₡189,45 ₡248,78 ₡225,36 ₡189,45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	30 A	26 mOhms	20 V	1.7 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	45.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 139,11 3 451En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUA170N10S5N031AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA170N10S5N031	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3 451En existencias	Cinta cortada ₡2 139,11 ₡1 087,77 ₡983,68 ₡817,13 Envase tipo carrete ₡770,29	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	170 A	3.1 mOhms	20 V	3.8 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 211,98 1 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUA180N10S5N029AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA180N10S5N029	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1 518En existencias	Cinta cortada ₡2 211,98 ₡1 129,41 ₡1 025,32 ₡858,77 Envase tipo carrete ₡806,72	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	180 A	2.9 mOhms	20 V	3.8 V	81 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 IAUCN10S5L110TATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 431,28 3 670En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S5L110TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S5L110TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3 670En existencias	Cinta cortada ₡1 431,28 ₡707,83 ₡634,97 ₡508,49 ₡492,36 Envase tipo carrete ₡448,12	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	100 V	61 A	11.3 mOhms	20 V	2.2 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 IAUCN08S5L160TATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 103,39 1 575En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S5L160TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S5L160TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1 575En existencias	Cinta cortada ₡1 103,39 ₡530,87 ₡474,14 ₡376,30 Envase tipo carrete ₡318,00 Ver ₡360,16 ₡311,24	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	80 V	42 A	15.8 mOhms	20 V	2 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	60 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 665,49 13 046En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S5L094DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S5L094DAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	13 046En existencias	Cinta cortada ₡1 665,49 ₡832,74 ₡749,47 ₡608,94 Ver Envase tipo carrete ₡546,49 ₡593,33 ₡546,49 ₡546,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 258,11 5 729En existencias 8 000Se espera el 17/6/2027	N.º de artículo del Fabricante IAUMN08S5N012GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN08S5N012GAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	5 729En existencias 8 000Se espera el 17/6/2027	Cinta cortada ₡3 258,11 ₡1 722,74 ₡1 571,81 ₡1 441,69 ₡1 389,64 Envase tipo carrete ₡1 363,62	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	PG-HSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	80 V	370 A	1.2 mOhms	20 V	3.8 V	149 nC	- 55 C	+ 175 C	325 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 15 m max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T IPD50N10S3L16ATMA2 Infineon Technologies 1: ₡1 597,83 2 500En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50N10S3L16ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N10S3L16AT2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 15 m max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	2 500En existencias	Cinta cortada ₡1 597,83 ₡1 030,52 ₡702,63 ₡572,51 Envase tipo carrete ₡515,26 Ver ₡530,87 ₡498,61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	100 V	50 A	15 mOhms	20 V	2.4 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUCN10S5L280DATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 165,84 3 915En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S5L280DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S5L280DAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3 915En existencias	Cinta cortada ₡1 165,84 ₡567,31 ₡504,33 ₡401,28 Ver Envase tipo carrete ₡332,06 ₡393,47 ₡385,66 ₡332,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 492,32 2 293En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S5N012LATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S5N012LAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	2 293En existencias	Cinta cortada ₡3 492,32 ₡1 852,86 ₡1 696,72 ₡1 582,21 ₡1 524,96 Envase tipo carrete ₡1 493,74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8-2	N-Channel	2 Channel	80 V	410 A	1.15 mOhms	20 V	3.3 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 919,10 4 374En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N011TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AUS300N08S5N011T	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	4 374En existencias	Cinta cortada ₡3 919,10 ₡2 102,68 ₡1 930,93 ₡1 847,65 ₡1 743,56 Envase tipo carrete ₡1 743,56	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	PG-HDSOP-16-2	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.1 mOhms	20 V	3.8 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 992,68 12 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUT300N08S5N014ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT300N08S5N014	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	12 000En existencias	Cinta cortada ₡2 992,68 ₡1 566,60 ₡1 431,28 ₡1 290,75 Envase tipo carrete ₡1 202,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.4 mOhms	20 V	2.2 V	187 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 372,62 35 902En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUT300N10S5N014ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT300N10S5N014	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	35 902En existencias	Cinta cortada ₡3 372,62 ₡1 785,20 ₡1 634,26 ₡1 509,35 ₡1 457,30 Envase tipo carrete ₡1 426,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si																Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUMN10S5N016GAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 632,85 52En existencias 12 000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUMN10S5N016GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN10S5N016GAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	52En existencias 12 000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada ₡3 632,85 ₡2 180,75 ₡1 759,17 ₡1 592,62 ₡1 545,78 Envase tipo carrete ₡1 441,69	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	PG-HSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	100 V	310 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	142 nC	- 55 C	+ 175 C	325 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 988,18 5 040En existencias 12 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUA180N08S5N026AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA180N08S5N026	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	5 040En existencias 12 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUA180N08S5N026AUMA1 Existencias: 5 040 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 8 000 Se espera el 19/11/2026 4 000 Se espera el 17/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada ₡1 988,18 ₡1 004,50 ₡910,81 ₡744,27 Envase tipo carrete ₡692,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	180 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	179 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 451,39 1 984En existencias 2 000Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUA210N10S5N024AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA210N10S5N024	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1 984En existencias 2 000Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada ₡2 451,39 ₡1 259,53 ₡1 145,02 ₡983,68 Envase tipo carrete ₡926,43	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	210 A	2.4 mOhms	20 V	3.8 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	238 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 394,14 1 988En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUA250N08S5N018AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA250N08S5N018	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1 988En existencias	Cinta cortada ₡2 394,14 ₡1 228,30 ₡1 030,52 ₡973,27 Envase tipo carrete ₡900,41	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	250 A	1.8 mOhms	20 V	3.8 V	96 nC	- 55 C	+ 175 C	238 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 587,42 7 030En existencias 20 000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N08S5N031ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N08S5N031	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7 030En existencias 20 000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada ₡1 587,42 ₡890,00 ₡687,01 ₡556,90 Ver Envase tipo carrete ₡475,71 ₡536,08 ₡525,67 ₡475,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 311,57 14 853En existencias 35 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N08S5N043ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N08S5N043	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	14 853En existencias 35 000En pedido	Cinta cortada ₡1 311,57 ₡660,99 ₡572,51 ₡471,02 Ver Envase tipo carrete ₡380,98 ₡441,88 ₡429,38 ₡380,98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	5 mOhms	20 V	2.2 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel