Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp IRF830ALPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 753,97 1 148En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp	Hoja de datos	1 148En existencias	₡1 753,97 ₡1 009,70 ₡785,90 ₡650,58 ₡582,92	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 540,58 1 387En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 387En existencias	₡1 540,58 ₡827,54 ₡681,81 ₡556,90 Ver ₡506,93 ₡496,52 ₡487,16	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8 IRF830APBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 264,73 1 182En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8	Hoja de datos	1 182En existencias	₡1 264,73 ₡863,97 ₡608,94 ₡469,98 ₡452,80	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 290,75 735En existencias 800En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	735En existencias 800En pedido	Cinta cortada ₡1 290,75 ₡785,90 ₡681,81 ₡562,10 Envase tipo carrete ₡536,08 ₡520,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 066,95 1 053En existencias 2 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF830APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 053En existencias 2 000En pedido	₡1 066,95 ₡723,45 ₡484,03 ₡416,37 Ver ₡349,75 ₡338,82	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube