1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in QDPAK (top-side cooled) packaging and are designed for automotive and industrial power conversion systems requiring high efficiency, high power density, and robust thermal performance. These devices combine SiC switching performance with a top-side cooled package architecture, providing a direct die-to-heatsink thermal path. This reduces dependence on PCB heat spreading and supports simpler, more effective cooling concepts in compact designs. Typical applications include EV onboard chargers, DC-DC converters, traction and auxiliary inverters, EV charging infrastructure, renewable energy systems, and high-power AC-DC/DC-DC conversion.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia MOSFETs de SiC NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
195En existencias
Cinta cortada
₡11 039,07
₡8 244,17
₡7 130,38
₡6 953,42
Envase tipo carrete
₡6 380,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 111 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 196 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Hoja de datos
202En existencias
₡8 494,00
₡7 401,02
₡3 752,56
₡3 554,78
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Hoja de datos
83En existencias
₡4 637,35
₡2 529,46
₡2 149,52
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
445Se espera el 12/2/2027
Cinta cortada
₡5 928,10
₡4 288,63
Envase tipo carrete
₡4 288,63
₡3 570,39
₡3 180,04
₡2 977,06
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 30
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement