650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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1 917En existencias
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MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole ITO-220AB-F-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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1 500En existencias
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SiC Schottky Diodes
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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: 6 000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252AA-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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790En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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980En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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1 950En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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6 000En existencias
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: 6 000

MOSFETs Si TO-252AA-3
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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1 428En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-2
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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733En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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1 500En existencias
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SiC Schottky Diodes
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Plazo de entrega 18 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole