1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3En existencias
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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19En existencias
Min.: 1
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
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12En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies Módulos de Diodos 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
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21En existencias
Min.: 1
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Diode Modules SiC Screw Mount


Infineon Technologies Módulos MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
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120En pedido
Min.: 1
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MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
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Mult.: 2

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
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Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies Módulos IGBT HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 12
Mult.: 12

IGBT Modules SiC, Si