IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
₡6 755,64
₡3 825,42
₡3 773,37
₡3 575,60
Envase tipo carrete
₡3 575,60
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263
Hoja de datos
894En existencias
Cinta cortada
₡4 064,83
₡2 753,26
₡2 009,00
Envase tipo carrete
₡1 811,22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
870En existencias
Cinta cortada
₡4 642,55
₡2 534,67
₡2 331,68
₡2 159,93
Envase tipo carrete
₡2 159,93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
₡5 621,03
₡3 122,79
₡2 971,86
₡2 779,29
Envase tipo carrete
₡2 779,29
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Hoja de datos
813En existencias
Cinta cortada
₡6 203,95
₡4 085,65
₡3 690,10
₡3 357,00
Envase tipo carrete
₡3 075,95
Presupuesto
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2 084En existencias
Cinta cortada
₡6 755,64
₡3 825,42
₡3 773,37
₡3 528,76
Envase tipo carrete
₡3 528,76
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2 095En existencias
Cinta cortada
₡4 590,50
₡2 503,44
₡2 300,46
₡2 274,43
₡2 154,73
Envase tipo carrete
₡2 154,73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2 090En existencias
Cinta cortada
₡5 553,37
₡3 086,36
₡2 925,02
₡2 768,88
Envase tipo carrete
₡2 768,88
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
520En existencias
₡6 880,55
₡3 903,49
₡3 617,23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
Hoja de datos
542En existencias
Cinta cortada
₡3 872,26
₡2 076,66
₡1 696,72
Envase tipo carrete
₡1 696,72
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
₡4 715,42
₡2 576,30
₡2 232,80
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
₡5 662,66
₡3 903,49
₡2 836,54
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
537En existencias
Cinta cortada
₡6 334,06
₡4 090,86
₡3 794,19
Envase tipo carrete
₡3 310,16
₡3 164,43
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement