Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs are 40V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 P CHAN 30V RH7G04BBKFRATCB ROHM Semiconductor 1: ₡1 275,14 2 685En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH7G04BBKFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RH7G04BBKFRATCB Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 P CHAN 30V Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh7g04 n channel power mosfets	Hoja de datos	2 685En existencias	Cinta cortada ₡1 275,14 ₡619,35 ₡556,90 ₡443,96 ₡429,90 Envase tipo carrete ₡380,46	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	3.1 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V RH7G04CBLFRATCB ROHM Semiconductor 1: ₡1 176,25 3 000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH7G04CBLFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RH7G04CBLFRATCB Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh7g04 n channel power mosfets	Hoja de datos	3 000En existencias	Cinta cortada ₡1 176,25 ₡572,51 ₡509,02 ₡405,44 Envase tipo carrete ₡362,24 Ver ₡390,87 ₡352,36 ₡340,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	5.8 mOhms	20 V	4 V	7.6 nC	- 55 C	+ 175 C	62 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V RH7G04DBKFRATCB ROHM Semiconductor 1: ₡952,45 2 995En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH7G04DBKFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RH7G04DBKFRATCB Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh7g04 n channel power mosfets	Hoja de datos	2 995En existencias	Cinta cortada ₡952,45 ₡454,37 ₡405,44 ₡320,09 Envase tipo carrete ₡257,11 Ver ₡307,60 ₡255,55	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	12.6 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape

RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

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