Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 17

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 368,82 4 000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4 000En existencias	Cinta cortada ₡1 368,82 ₡671,40 ₡603,74 ₡481,95 Ver Envase tipo carrete ₡420,02 ₡470,50 ₡456,97 ₡420,02	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 472,92 6 109En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6 109En existencias	Cinta cortada ₡1 472,92 ₡952,45 ₡655,79 ₡525,67 Envase tipo carrete ₡525,67 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies 1: ₡624,56 19 105En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0504NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0504NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	19 105En existencias	Cinta cortada ₡624,56 ₡290,42 ₡257,63 ₡199,34 Envase tipo carrete ₡147,29 Ver ₡195,69 ₡174,88 ₡142,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.2 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 040,93 6 779En existencias 10 000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6 779En existencias 10 000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada ₡1 040,93 ₡496,52 ₡405,44 ₡326,33 Ver Envase tipo carrete ₡265,96 ₡310,20 ₡283,13 ₡265,96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies 1: ₡744,27 14 046En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14 046En existencias	Cinta cortada ₡744,27 ₡350,27 ₡311,24 ₡243,06 Ver Envase tipo carrete ₡182,16 ₡238,89 ₡228,48 ₡182,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 894,49 3 923En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3 923En existencias	Cinta cortada ₡1 894,49 ₡952,45 ₡863,97 ₡702,63 Ver Envase tipo carrete ₡655,79 ₡697,42 ₡671,40 ₡655,79	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 639,47 110En existencias 10 000Se espera el 10/6/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	110En existencias 10 000Se espera el 10/6/2027	Cinta cortada ₡1 639,47 ₡973,27 ₡733,86 ₡608,94 ₡593,33 Envase tipo carrete ₡536,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	960 uOhms	16 V	2 V	92 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: ₡567,31 4 170En existencias 5 000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	4 170En existencias 5 000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada ₡567,31 ₡271,68 ₡238,89 ₡192,05 Envase tipo carrete ₡146,25 Ver ₡185,81 ₡180,60 ₡143,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 483,33 2 082En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 082En existencias	Cinta cortada ₡1 483,33 ₡733,86 ₡660,99 ₡530,87 Ver Envase tipo carrete ₡468,94 ₡510,06 ₡500,69 ₡468,94	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 186,66 55 350En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	55 350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5 350 Se espera el 7/1/2027 10 000 Se espera el 28/1/2027 15 000 Se espera el 6/5/2027 25 000 Se espera el 12/8/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡1 186,66 ₡582,92 ₡509,02 ₡409,09 Ver Envase tipo carrete ₡325,81 ₡373,69 ₡349,23 ₡325,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 124,21 29 503En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ019N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	29 503En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ019N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9 503 Se espera el 4/3/2027 20 000 Se espera el 30/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡1 124,21 ₡619,35 ₡487,68 ₡395,03 Ver Envase tipo carrete ₡318,00 ₡375,78 ₡346,11 ₡318,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	149 A	2 mOhms	20 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies 1: ₡837,95 47 193En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ0506NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0506NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	47 193En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ0506NSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 7 193 Se espera el 1/4/2027 20 000 Se espera el 22/4/2027 20 000 Se espera el 2/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡837,95 ₡359,64 ₡300,83 ₡244,62 Ver Envase tipo carrete ₡184,77 ₡235,25 ₡234,21 ₡184,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.4 mOhms	20 V	2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 420,16 9 928En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH29NE2LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH29NE2LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9 928En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH29NE2LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4 928 Se espera el 23/9/2027 5 000 Se espera el 7/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡2 420,16 ₡1 254,32 ₡1 129,41 ₡983,68 Ver Envase tipo carrete ₡900,41 ₡978,47 ₡968,07 ₡900,41	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	789 A	290 uOhms	16 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 576,30 19 834En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH35N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH35N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19 834En pedido	Cinta cortada ₡2 576,30 ₡1 348,01 ₡1 217,89 ₡1 051,34 Ver Envase tipo carrete ₡931,63 ₡1 040,93 ₡1 035,73 ₡931,63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	700 A	350 uOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 686,31 4 997Se espera el 12/8/2027	N.º de artículo del Fabricante BSG0812NDATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSG0812NDATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4 997Se espera el 12/8/2027	Cinta cortada ₡1 686,31 ₡968,07 ₡759,88 ₡629,76 ₡614,15 Envase tipo carrete ₡556,90	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	25 V	50 A	900 mOhms, 3.5 mOhms	16 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	6.25 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 009,00 5 841Se espera el 28/1/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5 841Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada ₡2 009,00 ₡1 025,32 ₡916,02 ₡765,08 ₡754,67 Envase tipo carrete ₡666,20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 613,44 6 000Se espera el 28/1/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6 000Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada ₡1 613,44 ₡817,13 ₡718,24 ₡582,92 Ver Envase tipo carrete ₡431,99 ₡556,90 ₡546,49 ₡431,99	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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