SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Configuración If - Corriente directa Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión directa Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo Ir - Corriente inversa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Vr - Tensión inversa Empaquetado
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY 67En existencias
₡2 238,00
₡1 124,21
₡916,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A 29En existencias
₡3 424,66
₡1 738,35
₡1 629,06
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A RDL SIC SKY 148En existencias
₡1 701,92
₡874,38
₡749,47
₡624,56
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=8A 7En existencias
₡3 856,65
₡2 529,46
₡1 858,06
₡1 655,08
₡1 467,71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY 35En existencias
₡8 905,16
₡5 074,54
₡5 053,72
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba Diodos Schottky de SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W 48En existencias
₡10 237,55
₡7 505,11
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY 68En existencias
₡5 865,65
₡4 148,11
₡3 159,22
₡2 971,86
₡2 914,61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY 36En existencias
₡4 002,38
₡2 571,10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY 36En existencias
₡4 075,24
₡2 628,35
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY 30En existencias
₡2 076,66
₡1 061,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A 11En existencias
₡2 951,04
₡1 478,12
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 15En existencias
₡4 907,99
₡3 367,41
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY 15En existencias
₡4 975,65
₡3 398,64
₡2 565,89
₡2 409,75
₡2 362,91
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY 24En existencias
₡5 896,87
₡4 283,43
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY 60En existencias
₡3 200,86
₡1 904,90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY 308En existencias
450Se espera el 16/11/2026
₡765,08
₡359,64
₡319,05
₡266,48
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY 115En existencias
₡1 405,26
₡681,81
₡603,74
₡484,03
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
300Se espera el 9/10/2026
₡3 565,19
₡2 201,57
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=6A
96Se espera el 5/10/2026
₡2 165,14
₡1 030,52
₡874,38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
₡3 674,49
₡2 456,60
₡1 977,77
₡1 753,97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
₡1 129,41
₡718,24
₡484,55
₡392,43
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
₡1 280,34
₡822,34
₡556,90
₡475,71
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
₡1 488,53
₡952,45
₡650,58
₡551,69
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Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C 650 V Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL SIC SKY Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
₡1 634,26
₡1 061,75
₡728,65
₡608,94
₡567,31
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C 650 V Tube