R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs are low on-resistance devices with fast switching. The R8002KN features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4 982En existencias
Cinta cortada
₡1 171,05
₡567,31
₡507,97
₡422,10
Envase tipo carrete
₡346,63
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
Hoja de datos
949En existencias
₡1 540,58
₡759,88
₡687,01
₡551,69
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube