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Cantidad RoHS

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8 Amps -500V 1.2 Rds
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450En existencias
1 260En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -100V 25 mOhms
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719En existencias
1 110Se espera el 25/1/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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518En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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315En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
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627En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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330En existencias
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IXYS Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
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195En existencias
300Se espera el 31/8/2026
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IXYS Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
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133En existencias
300Se espera el 18/1/2027
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IXYS Módulos MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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190En existencias
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IXYS Módulos MOSFET 8 Amps 1500V
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143En existencias
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IXYS Módulos MOSFET 90 Amps 250V
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156En existencias
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IXYS Módulos MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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306En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 110 Rds
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331En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA
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1 800En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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523En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
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1 529En existencias
1 150Se espera el 28/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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439En existencias
900En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
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706En existencias
100Se espera el 20/1/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100
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490En existencias
750Se espera el 11/11/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
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2 939En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
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921En existencias
1 000En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200
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654En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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1 242En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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464En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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525En existencias
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