Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
+1 imagen
IXFX100N65X2
IXYS
1:
₡11 611,58
71 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX100N65X2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
71 En existencias
1
₡11 611,58
10
₡7 598,79
120
₡7 515,52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
+1 imagen
IXFX520N075T2
IXYS
1:
₡11 023,46
142 Se espera el 30/12/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX520N075T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
142 Se espera el 30/12/2026
1
₡11 023,46
10
₡6 469,38
120
₡6 250,79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V
+1 imagen
IXKH70N60C5
IXYS
1:
₡16 394,66
18 En existencias
300 Se espera el 2/11/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXKH70N60C5
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V
18 En existencias
300 Se espera el 2/11/2026
1
₡16 394,66
10
₡10 346,85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
IXTA02N250HV
IXYS
1:
₡8 967,62
11 En existencias
2 300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA02N250HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
11 En existencias
2 300 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
11 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
950 Se espera el 31/8/2026
1 350 Se espera el 1/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
IXTA08N100D2
IXYS
1:
₡931,63
52 En existencias
3 050 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
52 En existencias
3 050 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
52 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 200 Se espera el 28/10/2026
1 850 Se espera el 14/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
25 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
IXTA08N100D2HV
IXYS
1:
₡3 580,80
5 En existencias
400 Se espera el 15/12/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
5 En existencias
400 Se espera el 15/12/2026
Embalaje alternativo
1
₡3 580,80
10
₡2 144,32
100
₡1 722,74
500
₡1 597,83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
IXTA08N50D2
IXYS
1:
₡2 451,39
556 En existencias
40 Se espera el 28/10/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N50D2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
556 En existencias
40 Se espera el 28/10/2026
1
₡2 451,39
10
₡1 254,32
100
₡1 139,82
500
₡1 056,54
1 000
Ver
1 000
₡936,84
2 500
₡931,63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 55V 0.0066 Rds
IXTA110N055T2
IXYS
1:
₡931,63
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA110N055T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 55V 0.0066 Rds
290 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1000V 14 Rds
IXTA1N100P
IXYS
1:
₡2 222,39
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1N100P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1000V 14 Rds
244 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 222,39
10
₡1 134,61
100
₡1 020,11
500
₡837,95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds
IXTA1R4N120P
IXYS
1:
₡1 863,27
12 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R4N120P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds
12 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V
IXTA230N075T2
IXYS
1:
₡2 264,02
82 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA230N075T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V
82 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V
IXTA300N04T2-7
IXYS
1:
₡1 925,72
134 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA300N04T2-7
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V
134 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 50V 0.036 Rds
IXTA32P05T
IXYS
1:
₡2 467,01
158 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA32P05T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 50V 0.036 Rds
158 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 467,01
10
₡1 275,14
100
₡1 155,43
500
₡952,45
2 500
₡947,25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
IXTA36P15P
IXYS
1:
₡2 394,14
126 En existencias
750 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
126 En existencias
750 En pedido
Ver fechas
Existencias:
126 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
400 Se espera el 26/10/2026
350 Se espera el 4/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
IXTA3N120HV
IXYS
1:
₡5 844,83
14 En existencias
350 Se espera el 9/2/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
14 En existencias
350 Se espera el 9/2/2027
Embalaje alternativo
1
₡5 844,83
10
₡3 341,39
100
₡3 081,16
500
₡2 841,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
IXTA4N150HV
IXYS
1:
₡8 436,74
83 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
83 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
IXTA4N65X2
IXYS
1:
₡2 373,32
76 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N65X2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
76 En existencias
1
₡2 373,32
10
₡1 410,46
100
₡1 155,43
500
₡869,18
2 500
Ver
2 500
₡848,36
5 000
₡843,15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
IXTA50N20P
IXYS
1:
₡1 603,03
266 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA50N20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
266 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds
IXTA60N10T
IXYS
1:
₡2 243,21
132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N10T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds
132 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 243,21
10
₡1 342,80
100
₡1 087,77
500
₡827,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 75V 0.01 Rds
IXTA90N075T2
IXYS
1:
₡1 072,16
29 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA90N075T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 75V 0.01 Rds
29 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
+1 imagen
IXTH10P50P
IXYS
1:
₡2 945,83
26 En existencias
7 860 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10P50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
26 En existencias
7 860 En pedido
Ver fechas
Existencias:
26 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
360 Se espera el 28/12/2026
1 680 Se espera el 11/1/2027
2 430 Se espera el 19/1/2027
3 390 Se espera el 26/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
+1 imagen
IXTH260N055T2
IXYS
1:
₡2 810,51
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH260N055T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
74 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.5KV 2A N-CH LINEAR
+1 imagen
IXTH2N150L
IXYS
1:
₡9 732,70
123 En existencias
300 Se espera el 30/8/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N150L
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.5KV 2A N-CH LINEAR
123 En existencias
300 Se espera el 30/8/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
IXTH34N65X2
IXYS
1:
₡2 586,71
141 En existencias
300 Se espera el 26/1/2027
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH34N65X2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
141 En existencias
300 Se espera el 26/1/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
+1 imagen
IXTH3N150
IXYS
1:
₡5 272,31
8 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N150
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
8 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles