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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V 5% Bi-Directional 5En existencias
3 000Se espera el 30/3/2027
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: 3 000

Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 11V 5% Uni-Directional 11En existencias
3 000Se espera el 16/9/2026
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: 3 000

IXYS Rectificadores Standard Rectifier
2 880En pedido
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IXYS Rectificadores 1800V 63A
1 906Se espera el 31/8/2026
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IXYS Rectificadores 120 Amps 600V
2 390En pedido
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IXYS Rectificadores 600V 2X100A
1 914En pedido
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IXYS Rectificadores 600V 37A
20 597En pedido
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IXYS Rectificadores 1200V 26A
4 050En pedido
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IXYS Rectificadores 1200V 2X28A
5 673En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
4 693En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
9 024En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
9 082En pedido
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IXYS Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
986En pedido
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IXYS Módulos MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
300Se espera el 8/3/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
1 768Se espera el 15/2/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
4 620En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
2 639En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
3 062En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
1 941En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
3 340Se espera el 21/12/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
4 600Se espera el 22/12/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN 1000V 22A
700Se espera el 4/11/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
1 075En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
5 950En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Linear Extended FBSOA Power MOSFET
1 330En pedido
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