NCV51561BBDWR2G

onsemi
863-NCV51561BBDWR2G
NCV51561BBDWR2G

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NCV51561BBDWR2G

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
NCV51561
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
58 ns
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Número de controladores: 2 Driver
Número de salidas: 2 Output
Producto: MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.: 5 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 3 V
Tecnología: SiC
Tipo: High-Side, Low-Side
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Japón
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV51561 Isolated Dual Channel Gate Driver

onsemi NCV51561 Isolated Dual-Channel Gate Driver features a 4.5A source and 9A sink peak current with short and matched propagation delays. The NCV51561 is intended for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.

En existencias: 982

Existencias:
982 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 982 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 144,32 ₡2 144,32
₡1 623,85 ₡16 238,50
₡1 493,74 ₡37 343,50
₡1 348,01 ₡134 801,00
₡1 280,34 ₡320 085,00
₡1 275,14 ₡637 570,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
₡1 165,84 ₡1 165 840,00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.