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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V 0.35 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 300V 0.085 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V 2 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V 0.025 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33 Amps 500V 0.17 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5 Amps 1000V 11 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.02 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube