Resultados: 20
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
783En existencias
Cinta cortada
₡3 627,64
₡1 930,93
₡1 769,58
₡1 707,13
Envase tipo carrete
₡1 571,81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
1 114En existencias
₡5 860,44
₡3 258,11
₡2 997,88
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
786En existencias
Cinta cortada
₡3 039,52
₡1 644,67
₡1 467,71
₡1 342,80
Envase tipo carrete
₡1 290,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
771En existencias
Cinta cortada
₡3 653,67
₡1 946,54
₡1 785,20
₡1 681,10
Envase tipo carrete
₡1 566,60
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
815En existencias
Cinta cortada
₡4 278,23
₡2 316,07
₡2 128,70
₡2 071,45
Envase tipo carrete
₡1 936,13
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
151En existencias
₡5 995,76
₡3 284,14
₡3 018,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
180En existencias
₡7 260,49
₡4 054,43
₡3 908,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
438En existencias
Cinta cortada
₡5 084,95
₡2 794,90
₡2 602,33
Envase tipo carrete
₡2 461,80
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
1 029En existencias
₡4 803,90
₡2 571,10
₡2 373,32
₡2 368,12
₡2 284,84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
102En existencias
1 000Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
₡2 133,91
₡1 082,57
₡983,68
₡817,13
Envase tipo carrete
₡770,29
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
493En existencias
Cinta cortada
₡3 289,34
₡1 738,35
₡1 587,42
₡1 462,51
Envase tipo carrete
₡1 379,23
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
464En existencias
Cinta cortada
₡2 310,87
₡1 186,66
₡1 072,16
₡910,81
Envase tipo carrete
₡858,77
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
218En existencias
₡3 638,05
₡2 326,48
₡1 988,18
₡1 577,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
263En existencias
₡3 357,00
₡2 196,36
₡1 618,65
₡1 436,48
₡1 275,14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
60En existencias
₡4 096,06
₡2 154,73
₡1 982,97
₡1 847,65
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
3 004En pedido
Cinta cortada
₡5 532,55
₡3 101,97
₡2 909,40
₡2 748,06
Envase tipo carrete
₡2 597,12
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
₡2 472,21
Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
₡3 778,58
₡1 993,38
₡1 826,83
₡1 556,19
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
₡3 893,08
Min.: 240
Mult.: 240
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
₡2 362,91
₡2 274,43
Min.: 240
Mult.: 240
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube