Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
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5 113En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
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570En existencias
300Se espera el 29/9/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 44 Amps 500V
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265En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V
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350En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 62 Amps 500V
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25En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power MOSFET
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174En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds
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498En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
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303En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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251En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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401En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
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285En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH LINEAR
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17En existencias
8 800En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
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5En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
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305En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR
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2 424En existencias
4 200Se espera el 26/10/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
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1 903En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
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371En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 22 Amps 1000V
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328En existencias
300Se espera el 3/3/2027
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET SOT227 N-CH 75V 225A
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352En existencias
250Se espera el 13/8/2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 30 Amps 1000V
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318En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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2 278En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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1 795En existencias
1 890En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
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346En existencias
400Se espera el 4/1/2027
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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534En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
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427En existencias
510Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3