MOSFET OptiMOS™-5 automotrices de 60 V IAUZ4xN06S5

Los MOSFET OptiMOS™-5 automotrices de 60 V IAUZ4xN06S5 de Infineon Technologies cuentan con una baja resistencia en estado activo de drenaje a fuente, una baja carga de puerta y una baja capacitancia de puerta, lo que minimiza las pérdidas de conducción y conmutación. Estos MOSFET de canal N y modo de mejora también cuentan con una carga de recuperación inversa extremadamente baja de 22.7 nC a 23.0 nC. 

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 7 437En existencias
Cinta cortada
₡780,70
₡365,89
₡325,29
₡254,51
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Envase tipo carrete
₡192,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 13 723En existencias
35 000En pedido
Cinta cortada
₡983,68
₡471,02
₡420,54
₡332,06
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Envase tipo carrete
₡267,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 1.1 m max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
5 000Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
₡2 206,77
₡1 139,82
₡1 030,52
₡832,74
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Envase tipo carrete
₡754,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 310 A 1.12 mOhms 20 V 3.4 V 105 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 7.4 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5 000Se espera el 8/10/2026
Cinta cortada
₡968,07
₡541,28
₡397,64
₡312,28
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Envase tipo carrete
₡219,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 7.4 mOhms 20 V 3.4 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape