Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡504,85 4 487En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R950CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R950CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	4 487En existencias	Cinta cortada ₡504,85 ₡232,65 ₡205,58 ₡157,70 Envase tipo carrete ₡117,10 Ver ₡109,82 ₡109,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	6.6 A	2.25 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡749,47 19 999En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R500CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R500CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	19 999En existencias	Cinta cortada ₡749,47 ₡351,31 ₡312,28 ₡244,10 Envase tipo carrete ₡197,78 Ver ₡232,13 ₡182,68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	500 mOhms	20 V	3 V	18.7 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡1 556,19 2 500En existencias 2 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA50R190CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R190CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2 500En existencias 2 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA50R190CEXKSA2 Existencias: 2 500 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 000 Se espera el 8/10/2026 1 000 Se espera el 22/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 12 Semanas	₡1 556,19 ₡791,11 ₡692,22 ₡541,28 Ver ₡520,47 ₡480,39 ₡479,87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	450 mOhms	20 V	3 V	47.2 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 072,16 12 588En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50R280CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R280CEAUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	12 588En existencias	Cinta cortada ₡1 072,16 ₡514,74 ₡460,09 ₡364,85 Envase tipo carrete ₡300,83 Ver ₡356,52 ₡299,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3 V	32.6 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡697,42 1 501En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R800CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R800CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1 501En existencias	₡697,42 ₡325,29 ₡288,86 ₡253,47 Ver ₡229,00 ₡201,94 ₡179,04 ₡173,31 ₡164,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	720 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡681,81 996En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R950CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R950CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	996En existencias	₡681,81 ₡318,52 ₡282,61 ₡246,70 Ver ₡197,78 ₡187,37 ₡179,56 ₡174,36 ₡165,51	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	550 V	6.6 A	2.22 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	25.7 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡973,27 3 860En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R280CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R280CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3 860En existencias	₡973,27 ₡464,26 ₡434,59 ₡344,03 Ver ₡334,14 ₡309,16 ₡270,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3.5 V	32.6 nC	- 40 C	+ 150 C	30.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡874,38 4 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50R380CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R380CEAUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	4 457En existencias	Cinta cortada ₡874,38 ₡414,81 ₡369,53 ₡290,42 Envase tipo carrete ₡236,81 Ver ₡275,85 ₡226,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	380 mOhms	20 V	3 V	24.8 nC	- 55 C	+ 150 C	98 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡785,90 912En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPA50R500CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R500CEXKSA2 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	912En existencias	₡785,90 ₡372,65 ₡331,54 ₡259,71 Ver ₡258,15 ₡245,66 ₡231,61 ₡227,96 ₡215,47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	11.1 A	1.17 Ohms	20 V	3 V	18.7 nC	- 40 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R380CE Infineon Technologies 1: ₡921,22 648En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R380CE N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R380CE	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	648En existencias	₡921,22 ₡577,72 ₡378,90 ₡299,79 Ver ₡266,48 ₡243,58 ₡234,21 ₡227,44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	340 mOhms	20 V	2.5 V	24.8 nC	- 40 C	+ 150 C	29.2 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡968,07 1 475En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R380CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R380CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1 475En existencias	₡968,07 ₡713,04 ₡454,37 ₡303,95 Ver ₡289,38 ₡250,34 ₡245,14 ₡239,41	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	340 mOhms	20 V	2.5 V	24.8 nC	- 40 C	+ 150 C	29.2 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: ₡416,37 2 622En existencias 6 000Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN50R2K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN50R2K0CEATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2 622En existencias 6 000Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada ₡416,37 ₡187,89 ₡165,51 ₡125,95 Envase tipo carrete ₡91,08 Ver ₡121,79 ₡79,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	500 V	2.4 A	4.68 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 509,35 460En existencias 1 000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CEXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	460En existencias 1 000Se espera el 19/10/2026	₡1 509,35 ₡744,27 ₡671,40 ₡520,47 ₡479,87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R800CE Infineon Technologies 1: ₡791,11 239En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R800CE N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R800CE NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	239En existencias	₡791,11 ₡489,24 ₡322,17 ₡253,47 Ver ₡216,51 ₡196,22 ₡173,84 ₡168,11 ₡166,55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	720 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: ₡426,78 3 014En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN50R1K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN50R1K4CEATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3 014En existencias	Cinta cortada ₡426,78 ₡200,90 ₡177,48 ₡135,32 Envase tipo carrete ₡104,09 Ver ₡123,87 ₡97,85 ₡90,04 ₡89,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	500 V	3.1 A	3.28 Ohms	20 V	2.5 V	8.2 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡484,03 68En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R2K0CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R2K0CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	68En existencias	Cinta cortada ₡484,03 ₡290,42 ₡204,54 ₡146,77 ₡132,72 Envase tipo carrete ₡103,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	3.6 A	2 Ohms	20 V	3 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡400,76 2 350En pedido Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPD50R3K0CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R3K0CEAUMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	2 350En pedido	Cinta cortada ₡400,76 ₡185,81 ₡157,70 ₡120,23 Envase tipo carrete ₡91,60 Ver ₡113,46 ₡85,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	2.6 A	3 Ohms	20 V	3 V	4.3 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CE Infineon Technologies 1: ₡1 514,55 Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CE N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CE	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas	₡1 514,55 ₡978,47 ₡671,40 ₡541,28 Ver ₡506,93 ₡489,24 ₡473,62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	190 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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